MIGLIORE, Francesca

MIGLIORE, Francesca  

Fisica e Chimica - Emilio Segrè  

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Data di pubblicazione Titolo Autori Tipologia Autore(i) File
1-gen-2022 Comparison of the effects of electrons and X-rays irradiation on epitaxial layers of 4H-SiC F. MiglioreF. PrincipatoM. CannasF. M. GelardiS. Agnello + 02 - Contributo in volume::2.08 Abstract in atti di convegno pubblicato in volume F. Migliore, A. Alessi, F. Principato, M. Cannas, F. M. Gelardi, A. Lombardo, D. Vecchio, A. Brischetto, S. Agnello
1-feb-2024 Defects in epitaxial 4H-SiC revealed by exciton recombination Migliore F.Cannas M.Agnello S. + 01 - Contributo in rivista::1.01 Articolo in rivista Migliore F.; Cannas M.; Mario Gelardi F.; Vecchio D.; Brischetto A.; Agnello S.
- Effects of beta ray irradiation on 4H-SiC epitaxial layer probed by exciton recombination F. MiglioreF. PrincipatoM. CannasF. M. GelardiS. Agnello + 06 - Intervento a convegno non pubblicato::6.2 Abstract non pubblicato F. Migliore, A. Alessi, F. Principato, S. Girard, A. Morana, M. Cannas, F. M. Gelardi, A. Lombardo, D. Vecchio, A. Brischetto, S. Agnello
1-gen-2023 Graphitization effects induced by thermal treatments of 4H-SiC Francesca MiglioreMarco CannasFranco M. GelardiSimonpietro Agnello + 02 - Contributo in volume::2.08 Abstract in atti di convegno pubblicato in volume Francesca Migliore, Giuseppe G. Piccione, Salvatore Patanè, Marco Cannas, Franco M. Gelardi, Andrea Brischetto, Daniele Vecchio, Claudio Chibbaro, Simonpietro Agnello
1-gen-2023 Response of epitaxial layer of 4H-SiC to β-rays and X-rays irradiation Francesca MiglioreFabio PrincipatoMarco CannasFranco M. GelardiSimonpietro Agnello + 02 - Contributo in volume::2.08 Abstract in atti di convegno pubblicato in volume Francesca Migliore, Antonino Alessi, Fabio Principato, Sylvain Girard, Adriana Morana, Marco Cannas, Franco M. Gelardi, Alice Lombardo, Daniele Vecchio, Andrea Brischetto, Simonpietro Agnello
31-ago-2021 Substrate impact on the thickness dependence of vibrational and optical properties of large area MoS2produced by gold-assisted exfoliation Migliore F.Cannas M.Gelardi F. M.Agnello S. + 01 - Contributo in rivista::1.01 Articolo in rivista Panasci S.E.; Schiliro E.; Migliore F.; Cannas M.; Gelardi F.M.; Roccaforte F.; Giannazzo F.; Agnello S.
15-feb-2023 Vulnerability of epitaxial layers and substrates of 4H-SiC to ionizing radiation and thermal treatments F. MiglioreF. PrincipatoM. CannasF. M. GelardiS. Agnello + 02 - Contributo in volume::2.08 Abstract in atti di convegno pubblicato in volume F. Migliore, A. Alessi, F. Principato, S. Girard, M. Cannas, F. M. Gelardi, A. Lombardo, D. Vecchio, A. Brischetto, G. G. Piccione, S. Patanè, S. Agnello
22-gen-2024 β-rays induced displacement damage on epitaxial 4H-SiC revealed by exciton recombination Migliore F.Alessi A.Principato F.Cannas M.Gelardi F. M.Vecchio D.Agnello S. + 01 - Contributo in rivista::1.01 Articolo in rivista Migliore F.; Alessi A.; Principato F.; Girard S.; Cannas M.; Gelardi F.M.; Lombardo A.; Vecchio D.; Brischetto A.; Agnello S.