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(2024). Influence of ionizing radiations and thermal treatments on 4H-SiC defectivity. (Tesi di dottorato, Università degli Studi di Palermo, 2024).

Influence of ionizing radiations and thermal treatments on 4H-SiC defectivity

MIGLIORE, Francesca
2024-07-02
2-lug-2024
4H-SiC
epitaxial layers
exciton recombination
(2024). Influence of ionizing radiations and thermal treatments on 4H-SiC defectivity. (Tesi di dottorato, Università degli Studi di Palermo, 2024).
4.2 Tesi di dottorato
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