(2024). Influence of ionizing radiations and thermal treatments on 4H-SiC defectivity.

Influence of ionizing radiations and thermal treatments on 4H-SiC defectivity

MIGLIORE, Francesca
2024-07-02

2-lug-2024
4H-SiC
epitaxial layers
exciton recombination
(2024). Influence of ionizing radiations and thermal treatments on 4H-SiC defectivity.
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