Exciton lifetime of 4H-SiC modified by thermal annealing in high pressure O2

G. Laurella
Primo
;
F. Migliore;M. Cannas;F. M. Gelardi;S. Agnello
Ultimo

Silicon Carbide, Thermal Annealing, Ultra Wide Bandgap, Semiconductor, Raman Spectroscopy, Time Resolved Photoluminescence
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