Archivio istituzionale della ricerca dell'Università degli Studi di Palermo

Alessi, A., Agnello, S., Gelardi, F.M., Messina, G., Carpanese, M. (2010). Influence of Ge doping level on the EPR signal of Ge(1), Ge(2) and E’Ge defects in Ge-doped silica. In Proceedings of 8th symposium "SiO2, advanced dielectrics and related devices".

Influence of Ge doping level on the EPR signal of Ge(1), Ge(2) and E’Ge defects in Ge-doped silica

ALESSI, Antonino;AGNELLO, Simonpietro;GELARDI, Franco Mario;
2010-01-01
giu-2010
8th Symposium "SiO2, advanced dielectrics and related devices"
Varenna (Lecco)
21-23/6/2010
2010
1
Alessi, A., Agnello, S., Gelardi, F.M., Messina, G., Carpanese, M. (2010). Influence of Ge doping level on the EPR signal of Ge(1), Ge(2) and E’Ge defects in Ge-doped silica. In Proceedings of 8th symposium "SiO2, advanced dielectrics and related devices".
Proceedings (atti dei congressi)
Alessi, A; Agnello, S; Gelardi, FM; Messina, G; Carpanese, M
Proceedings
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