VABRES, Roberto
 Distribuzione geografica
Continente #
AS - Asia 60
EU - Europa 50
NA - Nord America 21
AF - Africa 1
Totale 132
Nazione #
IT - Italia 26
US - Stati Uniti d'America 21
TW - Taiwan 17
CN - Cina 16
FR - Francia 10
HK - Hong Kong 9
JP - Giappone 7
KR - Corea 7
CH - Svizzera 4
SE - Svezia 4
DE - Germania 2
GB - Regno Unito 2
MY - Malesia 2
PL - Polonia 2
SG - Singapore 2
CI - Costa d'Avorio 1
Totale 132
Città #
Hsinchu 11
Tours 9
Hong Kong 7
Guangzhou 6
Palermo 6
Sala Baganza 6
Milan 5
Seodaemun-gu 5
Stockholm 4
Zurich 4
Los Angeles 3
Taipei 3
Catania 2
Charlottesville 2
Fisciano 2
Frankfurt am Main 2
Inazawa 2
Kuala Lumpur 2
Latham 2
Pohang 2
Rivoli 2
Sakawa 2
Seattle 2
Swansea 2
Taoyuan District 2
Warsaw 2
Abidjan 1
Ashburn 1
Cagliari 1
Forest City 1
Nagoya 1
Osaka 1
Paris 1
Sandston 1
Singapore 1
Springfield 1
Van Wert 1
Yokohama 1
Zhubei 1
Totale 110
Nome #
Formation of Ti ohmic contact on p-SiC by laser annealing 93
Ohmic contact formation on p-doped 4H-SiC using pulsed laser annealing 43
Toward A Metal-Free Contact Based On Multilayer Epitaxial Graphene On 4H-SiC 21
Totale 157
Categoria #
all - tutte 257
article - articoli 0
book - libri 0
conference - conferenze 0
curatela - curatele 0
other - altro 0
patent - brevetti 0
selected - selezionate 0
volume - volumi 0
Totale 257


Totale Lug Ago Sett Ott Nov Dic Gen Feb Mar Apr Mag Giu
2023/2024131 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 49 82
2024/202526 26 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
Totale 157