VELLA, FLAVIO
 Distribuzione geografica
Continente #
AS - Asia 142
EU - Europa 107
NA - Nord America 91
SA - Sud America 40
AF - Africa 6
Totale 386
Nazione #
US - Stati Uniti d'America 88
IT - Italia 46
SG - Singapore 39
RU - Federazione Russa 38
BR - Brasile 34
CN - Cina 33
VN - Vietnam 32
BD - Bangladesh 14
HK - Hong Kong 11
PL - Polonia 9
FR - Francia 8
EC - Ecuador 4
JP - Giappone 4
KR - Corea 4
FI - Finlandia 2
ID - Indonesia 2
IQ - Iraq 2
ZA - Sudafrica 2
AR - Argentina 1
CA - Canada 1
CO - Colombia 1
CR - Costa Rica 1
DE - Germania 1
EG - Egitto 1
GB - Regno Unito 1
KE - Kenya 1
MA - Marocco 1
RO - Romania 1
SE - Svezia 1
SY - Repubblica araba siriana 1
TC - Turks e Caicos 1
TN - Tunisia 1
Totale 386
Città #
Ashburn 29
San Jose 21
Singapore 18
Hong Kong 11
Milan 11
Hanoi 8
Moscow 8
Palermo 8
Zgierz 8
Ho Chi Minh City 7
Los Angeles 7
Hefei 6
Beijing 5
Lauterbourg 4
Tokyo 4
Da Nang 3
New York 3
Paris 3
Rome 3
Santa Clara 3
Belo Horizonte 2
Buffalo 2
Haiphong 2
Hillsboro 2
Ipatinga 2
Partanna 2
Quito 2
Redondo Beach 2
São Paulo 2
Turin 2
Vila Velha 2
Xi'an 2
Yongin-si 2
Achinsk 1
Alfenas 1
Basingstoke 1
Belém 1
Bismarck 1
Boardman 1
Bình Dương 1
Bắc Ninh 1
Cao Lanh 1
Cariacica 1
Casablanca 1
Casalecchio di Reno 1
Castro 1
Changzhou 1
Chengdu 1
Chicago 1
Colinas do Tocantins 1
Confresa 1
Copparo 1
Duhok 1
Ferraz de Vasconcelos 1
Frankfurt am Main 1
Genoa 1
Goiânia 1
Gravina di Catania 1
Guangzhou 1
Guatraché 1
Guayaquil 1
Helsinki 1
Hà Tĩnh 1
Hải Dương 1
Indaiatuba 1
Itabira 1
Jandira 1
Johannesburg 1
Lakeland 1
Lappeenranta 1
McDonough 1
Melbourne 1
Monastir 1
Montreal 1
Nairobi 1
Najaf 1
Naples 1
Novosibirsk 1
Orem 1
Osasco 1
Ourinhos 1
Pindamonhangaba 1
Ploieşti 1
Ponta Grossa 1
Port Said 1
Porto Alegre 1
Pretoria 1
Provo 1
Remanso 1
Reston 1
Ribeirão Preto 1
Rio de Janeiro 1
Riobamba 1
San Francisco 1
San José 1
Santa Luzia 1
Santiago de Cali 1
Shanghai 1
Sorocaba 1
St Louis 1
Totale 263
Nome #
Evaluation of Dynamic On-Resistance and Trapping Effects in GaN on Si HEMTs Using Rectangular Gate Voltage Pulses 153
Time Domain Investigation of Dynamic ON-Resistance and Trapping Effects in GaN-on-Si HEMTs under Rectangular Gate Voltage Pulses 94
Evaluation of Hysteresis and Charge Trapping in GaN on Si HEMTs Using Triangular Gate Voltage Pulses 92
Using Triangular Gate Voltage Pulses to Evaluate Hysteresis and Charge Trapping Effects in GaN on Si HEMTs 82
Totale 421
Categoria #
all - tutte 819
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book - libri 0
conference - conferenze 0
curatela - curatele 0
other - altro 0
patent - brevetti 0
selected - selezionate 0
volume - volumi 0
Totale 819


Totale Lug Ago Sett Ott Nov Dic Gen Feb Mar Apr Mag Giu
2024/202526 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 26
2025/2026387 42 10 40 58 17 33 33 37 21 15 29 52
2026/20278 8 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
Totale 421