VELLA, FLAVIO
 Distribuzione geografica
Continente #
AS - Asia 138
EU - Europa 80
NA - Nord America 77
SA - Sud America 40
AF - Africa 6
Totale 341
Nazione #
US - Stati Uniti d'America 75
SG - Singapore 39
RU - Federazione Russa 38
BR - Brasile 34
CN - Cina 33
VN - Vietnam 32
IT - Italia 19
HK - Hong Kong 11
BD - Bangladesh 10
PL - Polonia 9
FR - Francia 8
EC - Ecuador 4
JP - Giappone 4
KR - Corea 4
FI - Finlandia 2
ID - Indonesia 2
IQ - Iraq 2
ZA - Sudafrica 2
AR - Argentina 1
CA - Canada 1
CO - Colombia 1
DE - Germania 1
EG - Egitto 1
GB - Regno Unito 1
KE - Kenya 1
MA - Marocco 1
RO - Romania 1
SE - Svezia 1
SY - Repubblica araba siriana 1
TC - Turks e Caicos 1
TN - Tunisia 1
Totale 341
Città #
Ashburn 26
Singapore 18
San Jose 17
Hong Kong 11
Hanoi 8
Moscow 8
Zgierz 8
Ho Chi Minh City 7
Hefei 6
Beijing 5
Los Angeles 5
Lauterbourg 4
Tokyo 4
Da Nang 3
New York 3
Palermo 3
Paris 3
Rome 3
Belo Horizonte 2
Haiphong 2
Hillsboro 2
Ipatinga 2
Partanna 2
Quito 2
Redondo Beach 2
São Paulo 2
Turin 2
Vila Velha 2
Xi'an 2
Yongin-si 2
Achinsk 1
Alfenas 1
Basingstoke 1
Belém 1
Bismarck 1
Boardman 1
Buffalo 1
Bình Dương 1
Bắc Ninh 1
Cao Lanh 1
Cariacica 1
Casablanca 1
Castro 1
Changzhou 1
Chengdu 1
Chicago 1
Colinas do Tocantins 1
Confresa 1
Duhok 1
Ferraz de Vasconcelos 1
Frankfurt am Main 1
Goiânia 1
Gravina di Catania 1
Guangzhou 1
Guatraché 1
Guayaquil 1
Helsinki 1
Hà Tĩnh 1
Hải Dương 1
Indaiatuba 1
Itabira 1
Jandira 1
Johannesburg 1
Lakeland 1
Lappeenranta 1
McDonough 1
Melbourne 1
Monastir 1
Montreal 1
Nairobi 1
Najaf 1
Naples 1
Novosibirsk 1
Orem 1
Osasco 1
Ourinhos 1
Pindamonhangaba 1
Ploieşti 1
Ponta Grossa 1
Port Said 1
Porto Alegre 1
Pretoria 1
Provo 1
Remanso 1
Reston 1
Ribeirão Preto 1
Rio de Janeiro 1
Riobamba 1
San Francisco 1
Santa Clara 1
Santa Luzia 1
Santiago de Cali 1
Shanghai 1
Sorocaba 1
St Louis 1
St Petersburg 1
Stockholm 1
Surakarta 1
Suzano 1
Suzhou 1
Totale 236
Nome #
Evaluation of Dynamic On-Resistance and Trapping Effects in GaN on Si HEMTs Using Rectangular Gate Voltage Pulses 121
Time Domain Investigation of Dynamic ON-Resistance and Trapping Effects in GaN-on-Si HEMTs under Rectangular Gate Voltage Pulses 83
Evaluation of Hysteresis and Charge Trapping in GaN on Si HEMTs Using Triangular Gate Voltage Pulses 80
Using Triangular Gate Voltage Pulses to Evaluate Hysteresis and Charge Trapping Effects in GaN on Si HEMTs 77
Totale 361
Categoria #
all - tutte 690
article - articoli 0
book - libri 0
conference - conferenze 0
curatela - curatele 0
other - altro 0
patent - brevetti 0
selected - selezionate 0
volume - volumi 0
Totale 690


Totale Lug Ago Sett Ott Nov Dic Gen Feb Mar Apr Mag Giu
2024/202526 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 26
2025/2026335 42 10 40 58 17 33 33 37 21 15 29 0
Totale 361