LODATO, Maria Antonietta

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Afferenza

Fisica e Chimica - Emilio Segrè

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2013-01-01 Lodato, MA; Persano Adorno, D; Pizzolato, N; Spezia, S; Spagnolo, B

2014-01-01 Persano Adorno, D; Lodato, MA; Pizzolato, N; Spagnolo, B

2014-01-01 Persano Adorno, D; Graceffa, C; Pizzolato, N; Lodato, MA

Lodato, M.

Data di pubblicazione	Titolo	Autori	Tipologia	Autore(i)
1-gen-2013	External Noise Effects in Silicon MOS Inversion Layer	LODATO, Maria AntoniettaPERSANO ADORNO, DominiquePIZZOLATO, NicolaSpezia, SSPAGNOLO, Bernardo + -	01 - Contributo in rivista::1.01 Articolo in rivista	Lodato, MA; Persano Adorno, D; Pizzolato, N; Spezia, S; Spagnolo, B
1-gen-2014	Hot-Electron Noise Features in Silicon Crystals Operating Under Periodic signals	PERSANO ADORNO, DominiqueLODATO, Maria AntoniettaPIZZOLATO, NicolaSPAGNOLO, Bernardo	01 - Contributo in rivista::1.01 Articolo in rivista	Persano Adorno, D; Lodato, MA; Pizzolato, N; Spagnolo, B
1-gen-2014	Monte Carlo Simulation of Spin Relaxation of Conduction Electrons in Silicon	PERSANO ADORNO, DominiqueGraceffa, CPIZZOLATO, NicolaLODATO, Maria Antonietta + -	01 - Contributo in rivista::1.01 Articolo in rivista	Persano Adorno, D; Graceffa, C; Pizzolato, N; Lodato, MA
-	Noise-Induced Effects on electron transport in Silicon Structures	LODATO, Maria Antonietta	04 - Tesi di dottorato::4.2 Tesi di dottorato	Lodato, M.

Archivio istituzionale della ricerca dell'Università degli Studi di Palermo