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Archivio istituzionale della ricerca dell'Università degli Studi di Palermo
We investigate the memory function at room temperature in devices based on quantum dots. By Low Pressure Chemical Vapour Deposition (LPCVD) we deposited Si dots embedded in SiO2. On these devices flat band voltage shifts were well detected at low write voltages for write times of the order of milliseconds, and furthermore, a plateau in the flat band voltage shift, maybe consequence of Coulomb blockdale, was observed.
Crupi, I., Lombardo, S., Gerardi, C., Ammendola, G., Vulpio, M., Rimini, E., et al. (2002). Memory effects in single-electron nanostructures. In Solid State Phenomena (pp.669-674). Trans Tech Publications Ltd.
Memory effects in single-electron nanostructures
Crupi, Isodiana;Lombardo, S.;Gerardi, C.;Ammendola, G.;Vulpio, M.;Rimini, E.;Melanotte, M.
2002-01-01
Abstract
We investigate the memory function at room temperature in devices based on quantum dots. By Low Pressure Chemical Vapour Deposition (LPCVD) we deposited Si dots embedded in SiO2. On these devices flat band voltage shifts were well detected at low write voltages for write times of the order of milliseconds, and furthermore, a plateau in the flat band voltage shift, maybe consequence of Coulomb blockdale, was observed.
Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology 2001
S. Tecla, ita
2001
2002
6
http://www.ttp.net
Crupi, I., Lombardo, S., Gerardi, C., Ammendola, G., Vulpio, M., Rimini, E., et al. (2002). Memory effects in single-electron nanostructures. In Solid State Phenomena (pp.669-674). Trans Tech Publications Ltd.
Proceedings (atti dei congressi)
Crupi, I.; Lombardo, S.; Gerardi, C.; Ammendola, G.; Vulpio, M.; Rimini, E.; Melanotte, M.
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simulazione ASN
Il report seguente simula gli indicatori relativi alla propria produzione scientifica in relazione alle soglie ASN 2023-2025 del proprio SC/SSD. Si ricorda che il superamento dei valori soglia (almeno 2 su 3) è requisito necessario ma non sufficiente al conseguimento dell'abilitazione. La simulazione si basa sui dati IRIS e sugli indicatori bibliometrici alla data indicata e non tiene conto di eventuali periodi di congedo obbligatorio, che in sede di domanda ASN danno diritto a incrementi percentuali dei valori. La simulazione può differire dall'esito di un’eventuale domanda ASN sia per errori di catalogazione e/o dati mancanti in IRIS, sia per la variabilità dei dati bibliometrici nel tempo. Si consideri che Anvur calcola i valori degli indicatori all'ultima data utile per la presentazione delle domande.
La presente simulazione è stata realizzata sulla base delle specifiche raccolte sul tavolo ER del Focus Group IRIS coordinato dall’Università di Modena e Reggio Emilia e delle regole riportate nel DM 589/2018 e allegata Tabella A. Cineca, l’Università di Modena e Reggio Emilia e il Focus Group IRIS non si assumono alcuna responsabilità in merito all’uso che il diretto interessato o terzi faranno della simulazione. Si specifica inoltre che la simulazione contiene calcoli effettuati con dati e algoritmi di pubblico dominio e deve quindi essere considerata come un mero ausilio al calcolo svolgibile manualmente o con strumenti equivalenti.
