Archivio istituzionale della ricerca dell'Università degli Studi di Palermo
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EnglishJ-F CARLIN, J DORSAZ, B FAURE, MOSCA M, P GILET, S BRESSOT, et al. (2005). First InGaN/GaN thin Film LED using SiCOI engineered substrate. In Proceedings of 6th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS) (pp.Tu-P-050).
| Autori: | J-F CARLIN; J DORSAZ; B FAURE; MOSCA M; P GILET; S BRESSOT; H LARHECHE; P BOVE; F LETERTRE |
| Titolo: | First InGaN/GaN thin Film LED using SiCOI engineered substrate |
| Settore Scientifico Disciplinare: | Settore ING-INF/01 - Elettronica |
| Data di creazione: | 2005 |
| Nome del convegno: | 6th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS) |
| Anno del convegno: | August 28 - September 2, 2005 |
| Data di pubblicazione: | 2005 |
| Tipologia di ateneo: | 9 - Abstract di Comunicazioni o Poster di Congressi internazionali pubblicati (anche on line) |
| Altre informazioni significative: | Bremen - Germany - Book of Abstracts |
| Citazione: | J-F CARLIN, J DORSAZ, B FAURE, MOSCA M, P GILET, S BRESSOT, et al. (2005). First InGaN/GaN thin Film LED using SiCOI engineered substrate. In Proceedings of 6th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS) (pp.Tu-P-050). |
| Tipologia: | Proceedings (atti dei congressi) |
| Appare nelle tipologie: | 04 - Proceedings |
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