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EnglishJ. F., C., J., D., B., F., Mosca, M., P., G., S., B., et al. (2005). First InGaN/GaN thin Film LED using SiCOI engineered substrate. In Proceedings of 6th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS) (pp.Tu-P-050).
| Autori: | J. F., C.; J., D.; B., F.; Mosca, M.; P., G.; S., B.; H., L.; P., B.; F., L. | |
| Titolo: | First InGaN/GaN thin Film LED using SiCOI engineered substrate | |
| Settore Scientifico Disciplinare: | Settore ING-INF/01 - Elettronica | |
| Data di creazione: | 2005 | |
| Nome del convegno: | 6th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS) | |
| Anno del convegno: | August 28 - September 2, 2005 | |
| Data di pubblicazione: | 2005 | |
| Numero di pagine: | 1 | |
| Altre informazioni significative: | Bremen - Germany - Book of Abstracts | |
| Citazione: | J. F., C., J., D., B., F., Mosca, M., P., G., S., B., et al. (2005). First InGaN/GaN thin Film LED using SiCOI engineered substrate. In Proceedings of 6th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS) (pp.Tu-P-050). | |
| Tipologia: | 0 - Proceedings (TIPOLOGIA NON ATTIVA) | |
| Appare nelle tipologie: | 0 - Proceedings (TIPOLOGIA NON ATTIVA) |
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