Alessi, A., Agnello, S., Gelardi, F.M., Messina, G., Carpanese, M. (2010). Influence of Ge doping level on the EPR signal of Ge(1), Ge(2) and E’Ge defects in Ge-doped silica. In Proceedings of 8th symposium "SiO2, advanced dielectrics and related devices".

Influence of Ge doping level on the EPR signal of Ge(1), Ge(2) and E’Ge defects in Ge-doped silica

ALESSI, Antonino;AGNELLO, Simonpietro;GELARDI, Franco Mario;
2010-01-01

Settore FIS/01 - Fisica Sperimentale
giu-2010
8th Symposium "SiO2, advanced dielectrics and related devices"
Varenna (Lecco)
21-23/6/2010
2010
1
Alessi, A., Agnello, S., Gelardi, F.M., Messina, G., Carpanese, M. (2010). Influence of Ge doping level on the EPR signal of Ge(1), Ge(2) and E’Ge defects in Ge-doped silica. In Proceedings of 8th symposium "SiO2, advanced dielectrics and related devices".
Proceedings (atti dei congressi)
Alessi, A; Agnello, S; Gelardi, FM; Messina, G; Carpanese, M
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.

I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/10447/58085
Citazioni
  • ???jsp.display-item.citation.pmc??? ND
  • Scopus ND
  • ???jsp.display-item.citation.isi??? 21
social impact