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Data di pubblicazione Titolo Autori Tipologia Autore(i) File
1-gen-2013 External Noise Effects in Silicon MOS Inversion Layer LODATO, Maria AntoniettaPERSANO ADORNO, DominiquePIZZOLATO, NicolaSPAGNOLO, Bernardo + 01 - Contributo in rivista::1.01 Articolo in rivista Lodato, MA; Persano Adorno, D; Pizzolato, N; Spezia, S; Spagnolo, B
1-gen-2014 Monte Carlo Simulation of Spin Relaxation of Conduction Electrons in Silicon PERSANO ADORNO, DominiquePIZZOLATO, NicolaLODATO, Maria Antonietta + 01 - Contributo in rivista::1.01 Articolo in rivista Persano Adorno, D; Graceffa, C; Pizzolato, N; Lodato, MA
1-gen-2014 Hot-Electron Noise Features in Silicon Crystals Operating Under Periodic signals PERSANO ADORNO, DominiqueLODATO, Maria AntoniettaPIZZOLATO, NicolaSPAGNOLO, Bernardo 01 - Contributo in rivista::1.01 Articolo in rivista Persano Adorno, D; Lodato, MA; Pizzolato, N; Spagnolo, B
- Noise-Induced Effects on electron transport in Silicon Structures LODATO, Maria Antonietta 04 - Tesi di dottorato::4.2 Tesi di dottorato Lodato, M.
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